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商品說明








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創見8GB DDR4 Memory 260Pin SO-DIMM DDR4-2133MHz Unbuffer Non-ECC Memory

產品型號: TS1GSH64V1H

創見推出DDR4記憶體系列，速度、容量、節能完美兼顧！
創見資訊因應日益增加的DDR4記憶體產品需求，陸續推出一系列DDR4 2133 MHz UDIMM、RDIMM、ECC-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體，可支援Intel?新世代Xeon? processor E5-2600 V3系列、Haswell-E處理器X99晶片組及微型伺服器產品。每支DDR4記憶體皆具備高頻寬資料傳輸及1.2伏特超低電壓等特性，能完美導入雲端運算、虛擬化與高效能運算系統，大幅提升系統表現。

容量、效能，全面提升活動
創見DDR4記憶體採用高品質DRAM顆粒，提供絕佳可靠度及穩定性。新一代DDR4技術使單一顆粒密度提高，因此創見也針對不同系統需求，推出4GB至32GB多種容量。此外，創見DDR4伺服器記憶體的傳輸頻率最高可達2133MHz，以每秒17GB的高頻寬表現，帶來前所未有的資料傳輸效率。

1.2伏特超低電壓，節能減碳
創見DDR4記憶體具備1.2伏特低耗能特性，能減少記憶體控制器的電力負荷，相較於標準DDR3規格的1.5伏特電壓，節能率高達40％，不僅行動裝置的電池壽命可因耗電量減少而延長，更能達到響應環保的目標。此外，記憶體減少發熱亦可降低系統運作時的溫度，進而提高記憶體模組整體的耐用度。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固



















一定要買













商品規格






規格:
記憶體類型： DDR4 Memory
針腳及模組： 260Pin SO-DIMM
頻率： DDR4-2133
功能： Unbuffered Non-ECC Memory
容量： 8GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.2 V
ＣＬ值： 15





資料來源：創見

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※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。



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